كشفت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائى LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
ووفقًا لما نشره موقع GSM الهندى، فتوفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت فى الثانية، وهو ما يعتبر تحسين بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت فى الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت فى الثانية.
وتتوقع سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض نطاق الترددى العالى لهذه الرقاقات للتطبيقات التى تعمل بنظام الذكاء الاصطناعى والهواتف التى تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائى 8 جيجابايت مع ثمانية من رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائى الجديدة فى منشأة Pyeongtaek فى كوريا.
